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產品詳情
簡單介紹：
PD-200STL 是一種高速等離子CVD設備，用于通過液體源形成氧化硅 （SiO2） 膜和氮化硅 （SiN） 膜。
詳情介紹：
概述
PD-200STL 是一種高速等離子CVD設備，用于通過液體源形成氧化硅 （SiO2） 膜和氮化硅 （SiN） 膜。 陰極側護套電場產生的離子能量允許在低溫下形成低應力厚膜。 該裝置具有負載鎖室，可實現出色的可重復性沉積。
特點
- 良好的薄膜厚度均勻性和穩定性
- 高速沉積和應力控制
- 低溫沉積（80°C~）
- 階梯覆蓋性優異的成膜
- 控制折射率（使用 Ge、P 和 B）
應用示例
- SAW 器件的溫度補償膜、鈍化膜
- MEMS掩膜和氧化膜犧牲層
- 三維封裝中TSV（Si貫通通孔）側壁的絕緣膜
- 光波導芯層、包層形成
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